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PMV50EPEAR

商品型号: PMV50EPEAR

制造厂商: Nexperia(安世)

封装规格: TO-236AB

商品毛重: 0.02g

商品编号: CY563954

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):310mW 类型:P沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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数   量: X ¥5.5194

总   价: ¥27.60

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):310mW 类型:P沟道

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PMV50EPEAR由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PMV50EPEAR价格参考¥5.519400。Nexperia(安世)PMV50EPEAR封装/规格:TO-236AB,连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):310mW 类型:P沟道

手机版:PMV50EPEAR