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TPCC8093,L1Q(M

商品型号： TPCC8093,L1Q(M

制造厂商： TOSHIBA(东芝)

封装规格： TSON-8

商品毛重： 0.05g

商品编号： CY829663

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 500uA 漏源导通电阻：5.8mΩ @ 10.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	20V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 500uA 漏源导通电阻：5.8mΩ @ 10.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道

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TPCC8093,L1Q(M由TOSHIBA(东芝)设计生产,在芯云购商城现货销售,TPCC8093,L1Q(M价格参考￥8.455600。TOSHIBA(东芝)TPCC8093,L1Q(M封装/规格：TSON-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 500uA 漏源导通电阻：5.8mΩ @ 10.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道

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