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ASDM65N18S/SOP8

商品型号： ASDM65N18S/SOP8

制造厂商： Ascend(安森德)

封装规格： SOP-8

商品毛重： 0.19g

商品编号： CY204826

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：65V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	65V
最大功率耗散（Ta=25°C）	2.5W
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：65V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道

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ASDM65N18S/SOP8由Ascend(安森德)设计生产,在芯云购商城现货销售,ASDM65N18S/SOP8价格参考￥7.024300。Ascend(安森德)ASDM65N18S/SOP8封装/规格：SOP-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：65V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道

手机版：ASDM65N18S/SOP8