商品型号： VBZA4953
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： SO-8
商品毛重： 0.36g
商品编号： CY770182
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.3A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：39mΩ @ 6.2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W 类型：双P沟道 P+P沟道,-30V,-6.6A,32mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 5W |
VBZA4953由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBZA4953价格参考￥2.305700。VBsemi(台湾微碧)VBZA4953封装/规格：SO-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.3A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：39mΩ @ 6.2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W 类型：双P沟道 P+P沟道,-30V,-6.6A,32mΩ@10V
手机版：VBZA4953
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