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DMN2600UFB-7

商品型号： DMN2600UFB-7

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： X1-DFN1006-3

商品毛重： 0.11g

商品编号： CY301504

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.3A 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：350mΩ @ 200mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：540mW 类型：N沟道 N沟道，25V,1.3A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	25V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.3A 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：350mΩ @ 200mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：540mW 类型：N沟道 N沟道，25V,1.3A

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DMN2600UFB-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMN2600UFB-7价格参考￥1.105100。DIODES(美台)DMN2600UFB-7封装/规格：X1-DFN1006-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.3A 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：350mΩ @ 200mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：540mW 类型：N沟道 N沟道，25V,1.3A

手机版：DMN2600UFB-7