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VBK5213N

商品型号: VBK5213N

制造厂商: VBsemi(台湾微碧)

封装规格: SC-70-6

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY032052

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.28A,2.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 100uA 漏源导通电阻:130mΩ @ 500mA,1.8V;220mΩ @ 500mA,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.24W,1.1W 类型:N沟道和P沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 20V
类型 N沟道和P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.28A,2.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 100uA 漏源导通电阻:130mΩ @ 500mA,1.8V;220mΩ @ 500mA,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.24W,1.1W 类型:N沟道和P沟道

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VBK5213N由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBK5213N价格参考¥2.547600。VBsemi(台湾微碧)VBK5213N封装/规格:SC-70-6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.28A,2.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 100uA 漏源导通电阻:130mΩ @ 500mA,1.8V;220mΩ @ 500mA,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.24W,1.1W 类型:N沟道和P沟道

手机版:VBK5213N