商品型号： VBTA1220N
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： SC-75-3
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY164991
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：850mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：390mΩ @ 500mA,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道 N沟道,20V,1A,200mΩ@4.5V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 500mW | |
| 类型 | N沟道 |
VBTA1220N由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBTA1220N价格参考￥7.335700。VBsemi(台湾微碧)VBTA1220N封装/规格：SC-75-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：850mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：390mΩ @ 500mA,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道 N沟道,20V,1A,200mΩ@4.5V
手机版：VBTA1220N
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