商品型号： VB8338
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TSOP-6
商品毛重： 0.04g
商品编号： CY073483
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,-30V,-4.8A,38mΩ@10V
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货5524(3000起订)
数 量: X ￥5.0876
总 价: ￥5.09
包 装:「圆盘 / 3000」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
1+
￥5.0876
10+
￥5.0737
30+
￥5.0598
100+
￥5.0459
500+
￥5.0306
1000+
￥5.0153
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | P沟道 |
VB8338由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VB8338价格参考￥5.087600。VBsemi(台湾微碧)VB8338封装/规格：TSOP-6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,-30V,-4.8A,38mΩ@10V
手机版：VB8338
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监