商品型号： VBZA4435
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： SO-8
商品毛重： 0.36g
商品编号： CY310511
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：24mΩ @ 5.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.2W 类型：P沟道 P沟道,-30V,-9A,18mΩ@10V
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货5537(4000起订)
数 量: X ￥3.0217
总 价: ￥3.02
包 装:「圆盘 / 4000」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
1+
￥3.0217
10+
￥3.0185
30+
￥3.0153
100+
￥3.0121
500+
￥3.0089
1000+
￥3.0057
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 9A | |
| 类型 | P沟道 |
VBZA4435由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBZA4435价格参考￥3.021700。VBsemi(台湾微碧)VBZA4435封装/规格：SO-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：24mΩ @ 5.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.2W 类型：P沟道 P沟道,-30V,-9A,18mΩ@10V
手机版：VBZA4435
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监