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VBK2298

商品型号: VBK2298

制造厂商: VBsemi(台湾微碧)

封装规格: SC-70-3

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY093992

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.1A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:140mΩ @ 300mA,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:P沟道 P沟道,-20V,-3A,98mΩ@4.5V

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商品目录 MOS(场效应管)
最大功率耗散(Ta=25°C) 500mW
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.1A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:140mΩ @ 300mA,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:P沟道 P沟道,-20V,-3A,98mΩ@4.5V

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VBK2298由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBK2298价格参考¥9.497600。VBsemi(台湾微碧)VBK2298封装/规格:SC-70-3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.1A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:140mΩ @ 300mA,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:P沟道 P沟道,-20V,-3A,98mΩ@4.5V

手机版:VBK2298