商品型号： DMN5L06TK-7
制造厂商： DIODES(美台)
封装规格： SOT-523
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY394988
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：280mA 漏源电压（Vdss）：50V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：2Ω @ 50mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道 N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 50V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 280mA | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 150mW | |
| 类型 | N沟道 |
DMN5L06TK-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMN5L06TK-7价格参考￥3.128000。DIODES(美台)DMN5L06TK-7封装/规格：SOT-523,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：280mA 漏源电压（Vdss）：50V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：2Ω @ 50mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道 N沟道
手机版：DMN5L06TK-7
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