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HSM6113

商品型号: HSM6113

制造厂商: HUASHUO(华朔)

封装规格: SOP-8

商品毛重: 0.14g

商品编号: CY953508

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:P沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥9.46

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:P沟道

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HSM6113由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSM6113价格参考¥9.461400。HUASHUO(华朔)HSM6113封装/规格:SOP-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:P沟道

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