商品型号： PPMUT20V3
制造厂商： Prisemi 芯导
封装规格： SOT-323
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY233431
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：P沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 350mW | |
| 类型 | P沟道 |
PPMUT20V3由Prisemi 芯导设计生产,在芯云购商城现货销售,PPMUT20V3价格参考￥6.069000。Prisemi 芯导PPMUT20V3封装/规格：SOT-323,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：P沟道
手机版：PPMUT20V3
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