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VB4290

商品型号: VB4290

制造厂商: VBsemi(台湾微碧)

封装规格: TSOP-6

商品毛重: 0.04g

商品编号: CY013692

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 2.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W(Tc) 类型:双P沟道 P+P沟道,-20V,-4A,65mΩ@-4.5V

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商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 2.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W(Tc) 类型:双P沟道 P+P沟道,-20V,-4A,65mΩ@-4.5V

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VB4290由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VB4290价格参考¥9.301500。VBsemi(台湾微碧)VB4290封装/规格:TSOP-6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 2.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W(Tc) 类型:双P沟道 P+P沟道,-20V,-4A,65mΩ@-4.5V

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