商品型号： EMF02P02H
制造厂商： 3PEAK
封装规格： EDFN5x6
商品毛重： 0.23g
商品编号： CY929814
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：69W(Tc) 类型：P沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 类型 | P沟道 |
EMF02P02H由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,EMF02P02H价格参考￥3.019800。3PEAKEMF02P02H封装/规格：EDFN5x6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：69W(Tc) 类型：P沟道
手机版：EMF02P02H
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