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VS6808DH

商品型号: VS6808DH

制造厂商: Vanguard(威兆)

封装规格: SOT-23-6L

商品毛重: 0.04g

商品编号: CY447559

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:23mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W(Tc) 类型:双N沟道(共漏) N沟道 20V 6A

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商品目录 MOS(场效应管)
类型 双N沟道(共漏)
连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:23mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W(Tc) 类型:双N沟道(共漏) N沟道 20V 6A

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VS6808DH由Vanguard(威兆)设计生产,在芯云购商城现货销售,VS6808DH价格参考¥3.556800。Vanguard(威兆)VS6808DH封装/规格:SOT-23-6L,连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:23mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W(Tc) 类型:双N沟道(共漏) N沟道 20V 6A

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