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VB2103K

商品型号: VB2103K

制造厂商: VBsemi(台湾微碧)

封装规格: SOT23

商品毛重: 0.46g

商品编号: CY226128

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):- 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:3Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):650mW 类型:P沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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数   量: X ¥3.1444

总   价: ¥15.72

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) -
栅源极阈值电压 -
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):- 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:3Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):650mW 类型:P沟道

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VB2103K由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VB2103K价格参考¥3.144400。VBsemi(台湾微碧)VB2103K封装/规格:SOT23,连续漏极电流(Id)(25°C 时):- 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:3Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):650mW 类型:P沟道

手机版:VB2103K