




商品型号: AP2080K
制造厂商: ALLPOWER(铨力)
封装规格: TO-252
商品毛重: 0.39g
商品编号: CY985196
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:900mV @ 1mA 漏源导通电阻:9.8mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.13W 类型:N沟道 N沟道
数量
价格
1+
¥5.11
10+
¥5.0921
30+
¥5.0742
100+
¥5.0563
500+
¥5.0384
1000+
¥5.0192
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
| 属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 50A | |
| 类型 | N沟道 |
AP2080K由ALLPOWER(铨力)设计生产,在芯云购商城现货销售,AP2080K价格参考¥5.110000。ALLPOWER(铨力)AP2080K封装/规格:TO-252,连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:900mV @ 1mA 漏源导通电阻:9.8mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.13W 类型:N沟道 N沟道
手机版:AP2080K
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