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PB210BM

商品型号: PB210BM

制造厂商: U-NIK(旭康)

封装规格: SOT-23(SOT-23-3)

商品毛重: 0.04g

商品编号: CY402963

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.3A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:230mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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数   量: X ¥8.1912

总   价: ¥40.96

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 100V
最大功率耗散(Ta=25°C) 750mW
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.3A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:230mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:N沟道

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PB210BM由U-NIK(旭康)设计生产,在芯云购商城现货销售,PB210BM价格参考¥8.191200。U-NIK(旭康)PB210BM封装/规格:SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.3A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:230mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:N沟道

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