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VBZA4407

商品型号: VBZA4407

制造厂商: VBsemi(台湾微碧)

封装规格: SO-8

商品毛重: 0.37g

商品编号: CY408851

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.6A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):5.6W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-11.2A,13mΩ@10V

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总   价: ¥4.18

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.6A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):5.6W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-11.2A,13mΩ@10V

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VBZA4407由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBZA4407价格参考¥4.183200。VBsemi(台湾微碧)VBZA4407封装/规格:SO-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.6A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):5.6W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-11.2A,13mΩ@10V

手机版:VBZA4407