




商品型号: DMN4026SK3-13
制造厂商: DIODES(美台)
封装规格: TO-252
商品毛重: 0.36g
商品编号: CY983252
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):28A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.6W 类型:N沟道
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| 属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.6W | |
| 类型 | N沟道 |
DMN4026SK3-13由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMN4026SK3-13价格参考¥2.333200。DIODES(美台)DMN4026SK3-13封装/规格:TO-252,连续漏极电流(Id)(25°C 时):28A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.6W 类型:N沟道
手机版:DMN4026SK3-13
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