商品型号： VBE2104N
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO252
商品毛重： 2.34g
商品编号： CY053179
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：136W 类型：P沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源导通电阻 | - | |
| 类型 | P沟道 |
VBE2104N由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBE2104N价格参考￥9.403200。VBsemi(台湾微碧)VBE2104N封装/规格：TO252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：136W 类型：P沟道
手机版：VBE2104N
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