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PJT138K

商品型号: PJT138K_R1_00001

制造厂商: 3PEAK

封装规格: SOT-363

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY387271

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):360mA 漏源电压(Vdss):-50V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):236mW 类型:双N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥53.17

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商品目录 MOS(场效应管)
类型 双N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):360mA 漏源电压(Vdss):-50V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):236mW 类型:双N沟道

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PJT138K_R1_00001由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,PJT138K_R1_00001价格参考¥5.316500。3PEAKPJT138K_R1_00001封装/规格:SOT-363,连续漏极电流(Id)(25°C 时):360mA 漏源电压(Vdss):-50V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):236mW 类型:双N沟道

手机版:PJT138K_R1_00001