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VB2658

商品型号: VB2658

制造厂商: VBsemi(台湾微碧)

封装规格: SOT23

商品毛重: 0.11g

商品编号: CY381057

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.2A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):27W 类型:P沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥7.48

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.2A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):27W 类型:P沟道

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VB2658由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VB2658价格参考¥7.484800。VBsemi(台湾微碧)VB2658封装/规格:SOT23,连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.2A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):27W 类型:P沟道

手机版:VB2658