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VBA3316

商品型号: VBA3316

制造厂商: VBsemi(台湾微碧)

封装规格: SO-8

商品毛重: 0.30g

商品编号: CY652270

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:16mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W(Tc) 类型:N沟道 N+N沟道,30V,8A,15mΩ@10V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:16mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W(Tc) 类型:N沟道 N+N沟道,30V,8A,15mΩ@10V

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VBA3316由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBA3316价格参考¥7.322200。VBsemi(台湾微碧)VBA3316封装/规格:SO-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:16mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W(Tc) 类型:N沟道 N+N沟道,30V,8A,15mΩ@10V

手机版:VBA3316