商品型号： VBC6N2014
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TSSOP-8
商品毛重： 0.33g
商品编号： CY576818
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.2A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.6V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 6.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：双N沟道(共漏) N+N沟道,20V,7.6A,13mΩ@4.5V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1W | |
| 类型 | 双N沟道(共漏) |
VBC6N2014由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBC6N2014价格参考￥8.300600。VBsemi(台湾微碧)VBC6N2014封装/规格：TSSOP-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.2A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.6V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 6.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：双N沟道(共漏) N+N沟道,20V,7.6A,13mΩ@4.5V
手机版：VBC6N2014
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