商品型号： VBE1307
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO-252
商品毛重： 0.57g
商品编号： CY305833
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 37A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：205W 类型：N沟道 N沟道,30V,65A,7mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 80A | |
| 类型 | N沟道 |
VBE1307由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBE1307价格参考￥6.258600。VBsemi(台湾微碧)VBE1307封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 37A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：205W 类型：N沟道 N沟道,30V,65A,7mΩ@10V
手机版：VBE1307
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