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VBA2317

商品型号: VBA2317

制造厂商: VBsemi(台湾微碧)

封装规格: SO-8

商品毛重: 0.32g

商品编号: CY267114

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.2W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-30V,-9A,18mΩ@10V

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总   价: ¥2.51

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商品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.2W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-30V,-9A,18mΩ@10V

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VBA2317由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBA2317价格参考¥2.512400。VBsemi(台湾微碧)VBA2317封装/规格:SO-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.2W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-30V,-9A,18mΩ@10V

手机版:VBA2317