商品型号： VBJ1695
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： SOT-223-3
商品毛重： 0.40g
商品编号： CY016281
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：85mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4W 类型：N沟道 N沟道,60V,4A,95mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 4W | |
| 类型 | N沟道 |
VBJ1695由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBJ1695价格参考￥9.190800。VBsemi(台湾微碧)VBJ1695封装/规格：SOT-223-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：85mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4W 类型：N沟道 N沟道,60V,4A,95mΩ@10V
手机版：VBJ1695
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