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HSU60P02

商品型号: HSU60P02

制造厂商: HUASHUO(华朔)

封装规格: TO-252

商品毛重: 0.60g

商品编号: CY315901

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.0V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W 类型:P沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥5.13

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 20V
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.0V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W 类型:P沟道

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HSU60P02由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSU60P02价格参考¥5.128000。HUASHUO(华朔)HSU60P02封装/规格:TO-252,连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.0V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W 类型:P沟道

手机版:HSU60P02