商品型号： VBA5325
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： SO-8
商品毛重： 0.63g
商品编号： CY138420
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 6.8A,10V;40mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W(Tc),3.2W(Tc) 类型：N沟道和P沟道 N+P沟道,30V,7A,25mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | N沟道和P沟道 |
VBA5325由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBA5325价格参考￥3.294800。VBsemi(台湾微碧)VBA5325封装/规格：SO-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 6.8A,10V;40mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W(Tc),3.2W(Tc) 类型：N沟道和P沟道 N+P沟道,30V,7A,25mΩ@10V
手机版：VBA5325
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