商品型号： PNMT30V6
制造厂商： Prisemi 芯导
封装规格： SOT-23(SOT-23-3)
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY818645
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：N沟道 N沟,30V,5.8A,30mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | N沟道 |
PNMT30V6由Prisemi 芯导设计生产,在芯云购商城现货销售,PNMT30V6价格参考￥7.533100。Prisemi 芯导PNMT30V6封装/规格：SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：N沟道 N沟,30V,5.8A,30mΩ@10V
手机版：PNMT30V6
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