商品型号： VBL2610N
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO263
商品毛重： 3.75g
商品编号： CY141025
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：64mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W 类型：P沟道
数量
价格
1+
￥5.4341
10+
￥5.364
30+
￥5.2912
100+
￥5.2184
500+
￥5.1456
1000+
￥5.0728
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 30A | |
| 类型 | P沟道 |
VBL2610N由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBL2610N价格参考￥5.434100。VBsemi(台湾微碧)VBL2610N封装/规格：TO263,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：64mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W 类型：P沟道
手机版：VBL2610N
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