商品型号： VBE2610N
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO252
商品毛重： 2.45g
商品编号： CY258477
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：61mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：P沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 30A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | - | |
| 类型 | P沟道 |
VBE2610N由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBE2610N价格参考￥9.459900。VBsemi(台湾微碧)VBE2610N封装/规格：TO252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：61mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：P沟道
手机版：VBE2610N
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