商品型号： HSBE2730
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： PRPAK3x3NEP
商品毛重： 0.02g
商品编号： CY714980
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.47W 类型：双N沟道
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货3033(3000起订)
数 量: X ￥3.2621
总 价: ￥3.26
包 装:「圆盘 / 3000」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
1+
￥3.2621
10+
￥3.2195
30+
￥3.1756
100+
￥3.1317
500+
￥3.0878
1000+
￥3.0439
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 7A | |
| 类型 | 双N沟道 |
HSBE2730由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSBE2730价格参考￥3.262100。HUASHUO(华朔)HSBE2730封装/规格：PRPAK3x3NEP,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.47W 类型：双N沟道
手机版：HSBE2730
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监