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VBTA3230NS

商品型号: VBTA3230NS

制造厂商: VBsemi(台湾微碧)

封装规格: SC-89

商品毛重: 0.10g

商品编号: CY441658

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):600mA 漏源电压(Vdss):20A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:300mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):220mW 类型:双N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 20A
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 600mA
最大功率耗散(Ta=25°C) 220mW
类型 双N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):600mA 漏源电压(Vdss):20A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:300mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):220mW 类型:双N沟道

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VBTA3230NS由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBTA3230NS价格参考¥8.085400。VBsemi(台湾微碧)VBTA3230NS封装/规格:SC-89,连续漏极电流(Id)(25°C 时):600mA 漏源电压(Vdss):20A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:300mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):220mW 类型:双N沟道

手机版:VBTA3230NS