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VBQA2309

商品型号: VBQA2309

制造厂商: VBsemi(台湾微碧)

封装规格: DFN8(5X6)

商品毛重: 2.15g

商品编号: CY817217

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W 类型:P沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥4.08

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
最大功率耗散(Ta=25°C) 75W
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W 类型:P沟道

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VBQA2309由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBQA2309价格参考¥4.083300。VBsemi(台湾微碧)VBQA2309封装/规格:DFN8(5X6),连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W 类型:P沟道

手机版:VBQA2309