




商品型号: HY1710P
制造厂商: HUAYI(华羿微)
封装规格: TO-220FB-3L
商品毛重: 2.85g
商品编号: CY221051
数据手册:
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道
数量
价格
1+
¥5.2754
10+
¥5.2306
30+
¥5.1858
100+
¥5.141
500+
¥5.0962
1000+
¥5.0481
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
| 属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
HY1710P由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY1710P价格参考¥5.275400。HUAYI(华羿微)HY1710P封装/规格:TO-220FB-3L,连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道
手机版:HY1710P
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