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DMC3021LSDQ-13

商品型号： DMC3021LSDQ-13

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： SO-8

商品毛重： 0.11g

商品编号： CY368051

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.5A,7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.1V @ 250uA 漏源导通电阻：21mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道和P沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
最大功率耗散（Ta=25°C）	2.5W
类型	N沟道和P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.5A,7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.1V @ 250uA 漏源导通电阻：21mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道和P沟道

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DMC3021LSDQ-13由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMC3021LSDQ-13价格参考￥6.030200。DIODES(美台)DMC3021LSDQ-13封装/规格：SO-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.5A,7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.1V @ 250uA 漏源导通电阻：21mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道和P沟道

手机版：DMC3021LSDQ-13