商品型号： VBL2658
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO263
商品毛重： 3.63g
商品编号： CY775214
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：48mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：61W 类型：P沟道
数量
价格
1+
￥6.0006
10+
￥6.0005
30+
￥6.0004
100+
￥6.0003
500+
￥6.0002
1000+
￥6.0001
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 35A | |
| 类型 | P沟道 |
VBL2658由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBL2658价格参考￥6.000600。VBsemi(台湾微碧)VBL2658封装/规格：TO263,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：48mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：61W 类型：P沟道
手机版：VBL2658
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