商品型号： VBQA1302
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： DFN-8
商品毛重： 1.11g
商品编号： CY862046
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5mΩ @ 29A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 类型：N沟道 N沟道,30V,100A,2.7mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A | |
| 类型 | N沟道 |
VBQA1302由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBQA1302价格参考￥5.449400。VBsemi(台湾微碧)VBQA1302封装/规格：DFN-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5mΩ @ 29A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 类型：N沟道 N沟道,30V,100A,2.7mΩ@10V
手机版：VBQA1302
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