商品型号： VS6880AT
制造厂商： Vanguard(威兆)
封装规格： TO-220AB
商品毛重： 2.68g
商品编号： CY204318
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：105A(Tc) 漏源电压（Vdss）：68V 栅源极阈值电压：3.9V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：115W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 68V 105A
数量
价格
1+
￥5.5334
10+
￥5.4458
30+
￥5.3582
100+
￥5.2706
500+
￥5.1804
1000+
￥5.0902
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | N沟道 |
VS6880AT由Vanguard(威兆)设计生产,在芯云购商城现货销售,VS6880AT价格参考￥5.533400。Vanguard(威兆)VS6880AT封装/规格：TO-220AB,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：105A(Tc) 漏源电压（Vdss）：68V 栅源极阈值电压：3.9V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：115W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 68V 105A
手机版：VS6880AT
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