商品型号： VBMB1606
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO220F
商品毛重： 2.36g
商品编号： CY122874
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：136W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥6.1101
10+
￥6.0928
30+
￥6.0755
100+
￥6.0582
500+
￥6.0388
1000+
￥6.0194
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A | |
| 类型 | N沟道 |
VBMB1606由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBMB1606价格参考￥6.110100。VBsemi(台湾微碧)VBMB1606封装/规格：TO220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：136W 类型：N沟道
手机版：VBMB1606
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