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60N06

商品型号: 60N06

制造厂商: GOFORD(谷峰)

封装规格: TO-252-2(DPAK)

商品毛重: 0.47g

商品编号: CY068087

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):85W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,60V,60A,14mΩ@10V

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):85W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,60V,60A,14mΩ@10V

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60N06由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,60N06价格参考¥2.515400。GOFORD(谷峰)60N06封装/规格:TO-252-2(DPAK),连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):85W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,60V,60A,14mΩ@10V

手机版:60N06