商品型号： VBI1638
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： SOT89
商品毛重： 0.22g
商品编号： CY359254
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 7A | |
| 类型 | N沟道 |
VBI1638由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBI1638价格参考￥6.342300。VBsemi(台湾微碧)VBI1638封装/规格：SOT89,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W 类型：N沟道
手机版：VBI1638
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