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HSBA100P03

商品型号: HSBA100P03

制造厂商: HUASHUO(华朔)

封装规格: PRPAK5*6

商品毛重: 0.22g

商品编号: CY871975

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:3.3mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):140W 类型:P沟道

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商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 100A
最大功率耗散(Ta=25°C) 140W
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:3.3mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):140W 类型:P沟道

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HSBA100P03由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSBA100P03价格参考¥6.250600。HUASHUO(华朔)HSBA100P03封装/规格:PRPAK5*6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:3.3mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):140W 类型:P沟道

手机版:HSBA100P03