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DMP1055USW-7

商品型号： DMP1055USW-7

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： SOT-363

商品毛重： 0.02g

商品编号： CY044304

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.8A 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：48mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：660mW 类型：P沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	-12V
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.8A 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：48mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：660mW 类型：P沟道

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DMP1055USW-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMP1055USW-7价格参考￥8.175000。DIODES(美台)DMP1055USW-7封装/规格：SOT-363,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.8A 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：48mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：660mW 类型：P沟道

手机版：DMP1055USW-7