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VBC7P2216

商品型号: VBC7P2216

制造厂商: VBsemi(台湾微碧)

封装规格: TSSOP8

商品毛重: 2.04g

商品编号: CY638393

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 450uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 9A
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 450uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道

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VBC7P2216由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBC7P2216价格参考¥4.128100。VBsemi(台湾微碧)VBC7P2216封装/规格:TSSOP8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 450uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道

手机版:VBC7P2216