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DMN65D8LFB-7

商品型号： DMN65D8LFB-7

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： X1-DFN1006-3

商品毛重： 0.00g

商品编号： CY163161

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：260mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 115mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：430mW 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：260mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 115mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：430mW 类型：N沟道

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DMN65D8LFB-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMN65D8LFB-7价格参考￥6.397600。DIODES(美台)DMN65D8LFB-7封装/规格：X1-DFN1006-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：260mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 115mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：430mW 类型：N沟道

手机版：DMN65D8LFB-7