商品型号： VBQA1303
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： QFN8(5X6)
商品毛重： 2.17g
商品编号： CY092652
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：210W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 80A | |
| 类型 | N沟道 |
VBQA1303由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBQA1303价格参考￥4.049200。VBsemi(台湾微碧)VBQA1303封装/规格：QFN8(5X6),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：210W 类型：N沟道
手机版：VBQA1303
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